美国EOS InGaAs探测器（响应波段范围：1.0-1.7um）

光敏面积

0.1 mm dia

0.3 mm dia

1 mm dia

2.0 mm dia

3.0 mm dia

5.0 mm dia

波段范围(μm)

1.0-1.7

1.0-1.7

1.0-1.7

1.0-1.7

1.0-1.7

0.8-1.7

并联电阻 (MΩ)

>1000

>500

>100

≥10

≥5

250k min;

500k typ

并联电容 (pF),typ

1(-5V)

5(-5V)

1(-5V)

400

1000

2000

暗电流(Na),typ,max

0.2, 1(-5V)

1, 5(-5V)

50(-5V)

<5x10^-14

<7x10^-14

<3.0x10^-13

响应率(A/W)

0.90@1.3μm

0.90 @1.3μm

0.90@1.3μm

0.90@1.3μm

0.90 @1.3μm

0.90 @1.3μm

光敏面积

1 mm dia

2.0 mm dia

3.0 mm dia

5.0 mm dia

工作温度 (℃)

-30

-30

-30

-30

响应率(A/W)

0.90 min@1.3μm

0.90 min@1.3μm

0.90 min@1.3μm

0.90 min@1.3μm

并联电阻 (MΩ)

80 min

200 min

50 min

10 min

并联电容 (pF)

80typ

400typ

1000typ

1500typ

热敏电阻阻抗 (KΩ)

40.0typ

40.0typ

40.0typ

40.0typ

制冷器工作电流(A)

0.60TYP

0.60TYP

0.60TYP

0.65TYP

 NEP @1.3μm  (W/Hz^1/2),

     100Hz

<10^-14

<10^-14

<2.0x10^-14

<4.0x10^-14