光电探测器

1911 (F 或G)

R928 多碱光阴极PMT，风冷，侧窗口

190-860 nm

需要200-1200V高压电源

1912 (F 或G)

S1 R406 PMT，水冷或TE制冷，侧窗口

400-1100 nm

需要高压电源，电压可到1500V。虽然光子计数器能近似实现，建议使用电流输入。还包括1630C棱镜接口

1913 (F 或G)

R943-02 砷化镓PMT，水冷或TE制冷，顶端窗口

200-930 nm

建议采用光子计数。需要1500V高压电源，电压可达1800V。还包括1630C棱镜接口.

1914 (F 或G)

多碱光阴极PMT，水冷或TE制冷，侧窗口

190-860 nm

需要高压电源，电压可达1500V。采用电流输入或光子计数器。还包括1630C棱镜接口.

硅(Si)

无冷却

0.2 - 1.1 微米

-

无放大，大感光面积10x10mm。NEP由模拟输入决定

硅(Si)

无冷却

0.3 - 1.1 微米

2 x 10^-14

前置放大，要求±15V 供电

锗(Ge)

无冷却

0.8 - 1.8 微米

7 x 10^-13

前置放大，要求±15V 供电

锗(Ge)

TE制冷

0.8 - 1.75 微米

5 x 10^-14

前置放大，要求±15V 供电

铟镓砷

无冷却

0.8 - 1.7 微米

6 x 10^-14

前置放大，要求±15V 供电

铟镓砷

TE制冷

0.8 - 1.65 微米

1 x 10^-14

前置放大，要求±15V 供电

铟镓砷

液氮冷却

0.8 - 1.6 微米

1 x 10^-15

前置放大，要求±15V 供电

砷化铟

无冷却

1 - 3.6 微米

2 x 10^-10

前置放大，要求±15V 供电

砷化铟

TE制冷

1 - 3.55 微米

1 x 10^-11

前置放大，要求 +/-15V 供电

锑化铟

液氮冷却

2 - 5.5 微米

1 x 10^-12

前置放大，要求±15V 供电

硫化铅(PbS)

无冷却

1 - 3微米

2 x 10^-12

前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度在 100-500Hz

硫化铅(PbS)

TE制冷

1 - 3微米

1 x 10^-12

前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度在 100-500Hz

硒化铅(PbSe)

无冷却

1 - 5微米

5 x 10^-11

前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度1KHz

硒化铅(PbSe)

TE制冷

1 - 5微米

2 x 10^-11

前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 1KHz

碲镉汞(HgCdTe)

TE制冷

1 - 5微米*

1 x 10^-11

前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 1KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.

碲镉汞(HgCdTe)

TE制冷

1 - 10微米*

1 x 10^-8

前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 2KHz - 10KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.

碲镉汞(HgCdTe)

液氮冷却

1 - 14微米*

6 x 10^-12

前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 2KHz - 14KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.

碲镉汞(HgCdTe)

液氮冷却

1 - 20微米*

2 x 10^-11

前置放大，要求+/-15V 供电，斩波速度 2KHz - 20KHz. *波长响应随工作光谱范围变化.