参考价 | 面议 |
产品详情
电子阵列发生器(EGAs)与用灯丝制造的电子通量源相比,使用时无需预热,连续工作24小时,输出变化小于1%;产生49C/cm2电荷所产生漂移小于10%。无需维护清洁,发射能量密度均匀,功耗低,通常不到1w,也是传统电子腔源的替代方案,可根据要求定制尺寸和形状。
产品特性
更长的寿命;
冷离子源;
优异的稳定性;
更大幅面;
低维护。
技术参数
通量密度 | |
电子通量均匀性 | < 1.0x10‐10 A/cm2 (Chevron™ 或者Z‐ Stack 结构) |
电流密度 | 2.0x10‐5 A/cm2 |
通量密度 | 在整个发射区域内均匀到10%以内。 |
可用配置 | |
MCP配置 | 单层、双层( Chevron™), 或者三层(Z-stack) |
可用直径 | 直径4至150mm 自定义大小 |
产品资料
ChargedBeamProfiling-IPAC2010