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当前产品200µm InGaAs雪崩光电二极管APD(04)
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产品详情
光电特性:
参数
最小值
典型值
值
单位
波长范围
950
1650
nm
反向击穿电压
50
60
70
V
倍增因子
10
V = V BR - 3V
20
V = V BR - 1V
光谱响应率
0.9
1
A/W
倍增暗电流
2
nA
结电容
2.5
4
pF
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